半導(dǎo)體激光器是以直接帶(dài)隙半導(dǎo)體材料構成的 Pn 結或 Pin 結爲工作物質的一種小型化激光器。半導(dǎo)體激光工作物質有幾十種，目前已制成激光器的半導(dǎo)體材料有砷化镓、砷化铟、銻化铟、硫化镉、碲化镉
、硒化鉛、碲化鉛、鋁镓砷、铟磷砷等。

　　半導體激光器的激勵方式主要有三種：即電注入式 、光泵式和高能電子束激勵式。絕大多數半導體激光器的激勵方式是電注入，即給 Pn 結加正向電壓，以使在結平面區域産生受激發射 ，也就是說是個正向偏置的二極管 。因此半導體激光器又稱爲半導體激光二極管。對半導體來說，由於(yú)電子是在各能帶之間進行躍遷 ，而不是在分立的能級之間躍遷，所以躍遷能量不是個確(què)定值， 這使得半導體激光器的輸出波長展布在一個很寬的範圍上。它們所發出的波長在0.3～34μm之間
。其波長範圍決定於(yú)所用材料的能帶間隙 ，最常見的是AlGaAs雙異質結激光器，其輸出波長爲750～890nm。

　　半導(dǎo)體激光器制作技術經曆瞭(le)由擴散法到液相外延法(LPE)， 氣相外延法(VPE)，分子束外延法(MBE)，MOCVD 方法(金屬有機化合物汽相澱積)，化學束外延(CBE)以及它們的各種結合型等多種工藝。

　　随著(zhe)科學技術的迅速發展， 半導(dǎo)體激光器的研究正向縱深方向推進 ，半導(dǎo)體激光器的性能在不斷地提高。以半導(dǎo)體激光器爲核心的半導(dǎo)體光電子技術在 21 世紀的信息社會中将取得更大的進展，發揮更大的作用。

　　北京大族天成自主研發生産(chǎn)藍光激光器，激光波長(zhǎng)寬廣：355nm，405nm激光器，532nm，473nm，561nm，589nm，808nm，1470nm激光器等，種類齊全-連續-脈沖-紫外-調Q-納秒-燈泵-單頻-低噪聲-光纖耦合-窄線寬激光器。